揭秘Ivy Bridge超频温度高原因

junowu

关于Ivy Bridge在超频时温度大大高于Sandy Bridge这一点早已被证实。关于具体原因此前分析大概有两种说法，一种是Ivy Bridge制程升级导致核心面积变小后和顶盖接触面积变小，能量/面积的密度提高；另外一种说法直接把矛头指向Intel 22nm FinFET/tri-gate技术。Overclockers网站分析认为，后一种说法缺乏有说服力的依据，前一种说法看似合理，但不至于导致超频时Ivy Bridge温度比Sandy Bridge高出20度之多。那么具体原因究竟为何？自己动手才有真相，根据拆解结果Overclockers分析出了相对合理的原因。

从上图得知，Intel在核心与顶盖之间使用了传统的硅脂，而不是Sandy Bridge上的无钎焊工艺。查阅工程资料可得，使用无钎焊时的导热率大约是普通硅脂的15-16倍以上。而Intel在Ivy Bridge上的这一改变使得顶盖直接成为了热量集中地并且无法发挥原本散热的功效，甚至不如CPU核心直接通过硅脂接触散热器：前者为CPU核心—硅脂—顶盖—硅脂—散热器，后者为CPU核心—硅脂—散热器，除硅脂外均为金属导热速率很快，顶盖上下均覆盖硅脂反而使其成为了累赘。这也解释了为何Ivy Bridge在液氮等极限超频情况下并不弱的现象。

那么Intel为何又改为在核心使用硅脂，采用的又是那种硅脂呢？Overclockers就此询问了Intel，发言人回复很有礼貌又简洁还不出所料——“秘密配方”。虽然Intel不肯透露硅脂成为，不过从颜色上看起来它和一般散热器中搭配的普通产品并无差别，颜色也不如很多含银产品深。

实际上Intel已经不是第一次这样改动，Overclockers称E6XXX和E4XXX系列处理器也同样如此，前者采用的是无钎焊工艺连接核心与顶盖，后者同样为硅脂。总之很难解释为何Intel做出这种决定，普通产品倒无所谓，带K的超频专用型号起码不应该出现这种问题吧？