Intel推出DC P3100硬盘：3D TLC闪存，写入低至55MB/s

紫心涅普酱

来源：超能网  作者：bolvar

8月份的时候Intel一股脑推出了6款SSD新品，分别相面消费级、嵌入式、商用等不同市场，开始全线升级3D NAND闪存。日前Intel又推出了面向数据中心市场的入门级硬盘DC P3100系列，官方表示这是首款M.2规格、基于PCI-E的数据中心硬盘，使用的是3D NAND TLC闪存，读取速度1800MB/s，写入速度是55-175MB/s——你没看错，就是最高175MB/s，最低55MB/s。

DC P系列是Intel针对数据中心市场推出的SSD硬盘，目前的主力是DC P3000系列，之前多是PCI-E或者U.2规格的，DC P3100是首个M.2规格的，而闪存也开始使用3D NAND，既然是入门级产品，使用TLC闪存也没啥意外的。

该系列容量有128GB、256GB、512GB及1TB四种，性能最强的1TB版，读取速度1800MB/s，写入速度175MB/s——读取性能还可以，但写入速度有点太低了，但这还不是最差的，128GB版读取速度720MB/s，写入速度只有55MB/s，随机4K读取27万IOPS，随机写入只有2200 IOPS。

至于性能为啥这么低，Intel并没有公布DC P3100系列的主控和详细规格，估计Intel并没有使用SLC缓存之类的技术，55-175MB/s的写入速度是TLC闪存的原始速度而已。

如果说入门级产品不太看重性能，这么解释也就忍了，Intel强调的是性能与耐用性均衡，不过1TB版数据寿命才580TB，三星消费级的960 Pro硬盘1TB数据寿命都有800TB了，960 Evo也有400TB了，企业级的都干不过消费级的，这可咋整，客户唯一还有希望的就是Intel比三星便宜点了，还有五年的质保。

PS：红字部分表明作者是三星的脑残粉，不具有指导意义。