DARA厂商转进至采用30nm制程 20nm门槛极高 2013年前30nm仍属主流

miniake

随着 5 月快将完结， DRAMeXchange 25 日发表五月下旬 DRAM 合约价走势报告，指出日本大地震后所带动的上涨动能已转趋舒缓，加上市场供应逐渐回复， DDR3 2GB 及 4GB 合约均价维持平稳走势，在整体市场需求减弱下，六月合约价议定将增添变数。

据 DRAMeXchange 的调查报告指出，五月下旬 DDR3 2GB 合约均价维持在 18.75 美元 (1Gb $1.02) 水平， DDR3 4GB 合约均价维持在 36.5 美元 (2Gb $2.12) 水平，表现平稳，主要是由于地震后供应链已逐步回稳，而且早前传出两家 DRAM 厂在 40nm 的良率问题已逐步获得改善，加上 PC-OEM 厂 DRAM 库存充裕，因此整体市场需求减弱。

另一方面， DRAMeXchange 也分析了 DRAM 厂商对于微缩制程的情况，由于能否优先导入先进制程成为各厂获利关键，厂商制程转进步伐已加快至一年横跨两个制程技术，目前各厂仍积极转进 40nm 甚至 30nm 制程，虽然透过制程转进能增加 20%-30% 产出量，但由于良率稳定度困难，令不少厂商受到技术问题所限而影响 0nm 制程后的研发技术能力。

据 DRAMeXchange 对厂商们的技术分析指出，目前 SAMSUNG 早已导入 3x nm 制程技术，目前 35nm 制程至第二季末预估将占 30% 产能，预期年底将有超过 50% 出产是采用 35nm 制程技术，成位业界龙头。 同为韩系厂商的 Hynix 由于 38nm 制程需同时切入 6F2 领域，因此预期今年产出的比例将非常有限；而日系厂商 Elpida 子公司瑞晶在去年第四季已全数导入 45nm 制程，而且预期 38nm 制程将于 6 月量产，预期年底可望达到占总投片产能的一半。

台系厂商方面，南科与华亚科目前仍主力拉高 42nm 的投片比重以及良率稳定度，但 30nm 则有机会于年末进行试产。 此外，除了提升投片量之外，各家记忆体厂为了提高获利能力，正降低标准型记忆体的投片比例，同时将产能转向毛利较高的伺服器用记忆体与行动式记忆体，以改善近期标准型记忆体走势疲弱导致 DRAM 厂高财务状况的影响。

DRAMeXchange 预期，除了持续改善 30nm 制程研发进度与良率外，迈入 20nm 制程后将出现摩尔定律的瓶颈，届时不仅设计难度添增往后生产的不确定性，造价高昂的超紫外光微影设备 (EUV) 更大幅拉高进入次世代制程的门槛。以目前 DA 情况来看，除了有获利能力的国际 DRAM 大厂能负担价格昂贵的机台外，其余尚在亏损状态的 DRAM 厂仍在审慎评估中未来市场的需求。

不过，由于 20nm 制程设计难度极高，而且成本进入也拥有高门槛障碍，因此预期在 2012 年底以前仍会是以 30nm 制程颗粒为市场主流，平均落后一至两个世代的台系 DRAM 厂商将可望得到喘息空间。此外， DRAMeXchange 也指出未来两年记忆体位元成长率将会趋缓，供过于求的标准型记忆体价格产能彖可望获得部份纾解，进而使价格得以回复至合理水平。


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