Rev 1.1與Rev 3.0的差異? GIGABYTE GA-B85M-DS3H調查報告

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這次是被hk的人抓包了。。。。。。。。。。。

縮水嚴重。。。。。。。。。。

http://www.hkepc.com/12018












具體如下

對比 GIGABYTE GA-B85M-DS3H 主機板 Rev 1.1 版本與 Rev 3.0 版本， Rev 1.1 版本採用較高階的 Intersil ISL95820 PWM 控制晶片支援最高 4 相供電設計，供電設計採用 4 相供電、每相 1+1 MOSFET 配搭配搭 R68 封閉式電感， MOSFET 採用 VISHAY SiRA12DP ，供電模組電容採用了台灣鈺邦 5000 小時壽命固態電容， 3 顆輸入電容是 16V 270μF 、 6 顆輸出電容是 6.3V 560μF 。

Rev 3.0 版本改為 Intersil ISL95812 PWM 控制晶片最高 3 相供電設計，供電設計由 4 相降至 3 相供電、每相同樣為 1+1 MOSFET 配置配搭 R68 封閉式電感，雖然少了一相供電但 MOSFET 改用 On Semiconductor 的 NTMFS4C08N ，規格上相較 SiRA12DP 提供較高的電流轉換，以彌補供電相位減少。




Rev 3.0 供電模組電容亦有所不同，輸入電容同樣採用台灣鈺邦 5000 小時壽命的 16V 270μF 固態電容，但數量由 3 顆減少至 2 顆，輸出電容則改用日系 NCC 的 2000 小時壽命 PXE 系列，同樣為 6.3V 560μF 但數量由 6 顆減少 4 顆。

除了供電模組電容作出刪減， Rev 1.1 與 Rev 3.0 於 CPU Socket 中央的貼片電容數量亦不相同， Rev 1.1 版本的 CPU Socket 中央擁有 27 顆貼片電容， Rev 3.0 版本採用同樣的貼片電容但數目刪減至 17 顆，這些貼片電壓主要為 CPU 內部提供穩壓及濾波作用，減低雜訊造成高頻聲噪的可能。

供電相位減少令供電模組對於負載的波動反應較慢，同時會產生較大雜訊 (Ripple) ，除了影響系統穩定性，更可能導致元件產生令人煩躁的高頻噪音。同時，由於 MOSFET 數量減少令每顆需承受更高負載，元件溫度因此提高但散熱面積卻較小，當 MOSFET 長時間處於高溫運作，對元件壽命及穩定性帶來一定影響。




調查報告結果 :

由於主機板市場競爭激烈，廠商們會考慮 Cost Down 以提升競爭力無可厚非，但使用相同的產品名稱卻推出不同的 Rev 版本， Rev 版本之間存在如此巨大差異， GIGABYTE 官方網站中的產品功能比較表，卻完全無法反映 Rev 之差異，做法難以消除公眾疑慮。

HKEPC 於 2015 年 2 月 5 日發信向 GIGABYTE 作出查詢，希望事件得到 GIGABYTE 官方回應，包括 GIGABYTE 在制定 Rev 版本時的考量與規則，為何 Rev 1.1 與 Rev 3.0 版本有如此大差異 ? 為何不改換其他型號讓消費者更易識別 ? 不同的 Rev 版本為何使用相同的 EAN Code ? 及後再透過 GIGABYTE 香港代理商要求官方答案， GIGABYTE 直至截稿前仍沒有主動回應， HKEPC 感到十分失望。

HKEPC 認為消費者主要以型號分辦主機板規格差異，根本不會特別注意到 Rev 版本，而且 EAN 國際商品條碼完全一樣，連本港零售業者都可以不清楚有不同 Rev 存在。 GIGABYTE 頻頻改版，又沒有作出完整的說明，做法有欠恰當，如果用料、規格存在大幅調整，是否應該考慮更改型號 ? 一般產品對用料是隱性規格，但主機板的 PC 零組件卻不一樣，用料絕對是消費者購買時的重要資料之一。

建議 GIGABYTE 應避免造成與消費者之間認知的差異，尤其是 GIGABYTE 一向以超耐久作為賣點，品質要求理應更高，對於消費者要有負責的態度，才是品牌經營長久之道。