三星抢先TSMC及Intel，已生产10nm工艺128Mbit SRAM缓存

◕5神◕

14/16nm工艺节点上，三星比TSMC更早量产FinFET工艺，进度只比Intel落后，这一代的工艺竞逐赛就这么定了。在下一代10nm工艺上，三星、TSMC与Intel又开始较劲了，Intel比较谨慎，10nm工艺的Cannonlake至少要到2017年Q3季度才能问世，TSMC的10nm工艺已经冻结研发，明年初试产，而三星这次更进一步，率先使用10nm FinFET工艺生产了128Mbit SRAM缓存。


三星电子日前宣布他们已经成功使用10nm FinFET工艺生产了128Mbit SRAM缓存，后者通常用于处理器的缓存（L1/L2/L3缓存等等），速度比DRAM内存要快得多，目前Intel、TSMC的SRAM缓存还是14、16nm工艺。
三星这么快就生产出了10nm工艺的SRAM缓存说明他们的工艺进展很顺利。根据三星所说，与14nm工艺相比，其10nm SRAM缓存核心面积缩小了37.5%，如果应用于移动处理器，不仅性能更高，也有助于降低芯片核心面积。
至于10nm量产时间，三星预计的时间点在2016年底，跟TSMC的乐观预计差不多，至少都比Intel的10nm工艺进度要快——不过前提是这两家公司都没吹牛，而且工艺进展一帆风顺。